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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay 原裝現貨 面議 SOT23 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 规格 FET 類型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.6A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 68 毫欧 @ 2.9A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V Vgs(最大值) ±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 320pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散(最大值) 1.1W(Ta),1.7W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装類型 表面贴装 供应商器件封裝 SOT-23-3(TO-236) 封裝/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDF 資料
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